Projektdaten

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Einfluss von Oberflächenmodifikationen auf den Ladungsträgertransport in axialen GaAs-Nanodrahtstrukturen

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Der im Fachgebiet vorhandene, kontaminationsfreie Transfer von MOCVD-präparierten Proben zu einem UHV-basierten Multi-Probe-STM gibt die Möglichkeit, individuelle Nanodrähte in vacuo ( .. as-grown") elektrisch zu charakterisieren. Dabei wird die Oberfläche der Drähte entweder rekonstruiert, Wasserstoff-terminiert oder oxidiert sein. Diese Varianten sollten zu unterschiedlichen Oberflächenzustandsdichten führen, wodurch deren Rolle und Charakteristik erstmalig besser aufgedeckt werden kann. Um den Ladungsträgertransport über die Oberfläche zu ermöglichen, werden zunächst vollständig und partiell intrinsische GaAs-Nanodrähte hergestellt. Im ersten von zwei Arbeitspaketen sollen daher der Ladungsträgertransport in Nanodrahtstrukturen in Abhängigkeit der Oberflächenzustandsdichte (UHV­transferiert vs. oxidiert) dargestellt und genauer untersucht werden. Hierbei sind Experimente geplant, bei denen die Drähte mittels UHV­Transfer unter Ausschluss von Kontaminationen ausführlich elektrisch charakterisiert werden. Eine Modellierung soll zu einer Identifikation von relevanten physikalischen Parametern führen, welche dazu dienen, die Messergebnisse zunächst qualitativ und anschließend auch quantitativ nachzubilden. Für die Ladungsträgertrennung standardmäßig genutzte p-n-Übergänge sollen im zweiten Arbeitspunkt genauer untersucht werden. In axialer Ausrichtung wurden diese Kontakte in GaAs-Nanodrähten schon untersucht, jedoch ohne Oberflächenkontaminationen oder -modifikationen zu berücksichtigen. In diesem Projekt sollen Nanodrähte mit axialem p-n-Übergang charakterisiert werden. Zur Verifizierung und Anwendung des zuvor untersuchten Mechanismus' wird zudem die Wechselwirkung der Nanodrähte mit Licht untersucht.