Projektdaten
Ellipsometrische Untersuchungen an Einzel- oder Doppelschichten auf Si-Substrat mit SiO2-Deckschicht
Fakultät/Einrichtung
Mathematik und Naturwissenschaften
Förderkategorie
Auftragsforschung
Drittmittelgeber
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH
Bewilligungssumme, Auftragssumme
Kategorie 5.000,00 - 9.999,00 €
Abstract:
Die Untersuchung dünner Schichten mittels Spektralellipsometrie ist seit vielen Jahren etabliert und gehört zu den Standardmethoden der Charakterisierung. Dies gilt nicht für neue Materialsysteme bzw. Mehrfachschichten.
Im Rahmen dieses Projekts sollen Einzel oder Doppelschichten auf Si-Substrat mit SiO2 - Deckschicht im Spektralbereich 0,2 ... 2,3 und 2,5 ... 25 Mikrometer untersucht werden. Ziel ist die Bestimmung der dielektrischen Funktion, wenn möglich als parametrisches Modell, und die Beschreibung der Schichtmodelle für die Erstellung einer technologischen Basis.