Projektdaten
Tieftemperatur-Photolumineszenz-Untersuchungen an Si-Proben mit flachen pn-Übergängen für die Nanoelektronik / Sensorik
Hochschule
TU Ilmenau
Fakultät/Einrichtung
Mathematik und Naturwissenschaften
Förderkategorie
Auftragsforschung
Zeitraum
2021 - 2022
Drittmittelgeber
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH
Stichwort
Bewilligungssumme, Auftragssumme
Kategorie 5.000,00 - 9.999,00 €
Abstract:
Flache Störstellen in Silizium dienen der gezielten Einstellung der Leitfähigkeit. Mittels Akzeptoren und Donatoren können bei unterschiedlichen Konzentrationen elektronische Bauelemente , z.B. Dioden, hergestellt werden. Während geringe Konzentrationen mittels Standardverfahren bestimmt werden können, ist die Charakterisierung von Kristallen mit höheren Konzentrationen und teilweiser Kompensation noch in der Entwicklung. Der Einfluss der Kompensation auf optische Übergänge soll im Rahmen des Projektes mittels temperaturabhängiger Tieftemperatur-Photolumineszenz-Messungen untersucht werden und einen Beitrag zum weiteren Verständnis dieser Eigenschaften liefern.